產(chǎn)品[
半導(dǎo)體元件自動(dòng)化測(cè)試系統(tǒng)
]資料
產(chǎn)品名稱:
半導(dǎo)體元件自動(dòng)化測(cè)試系統(tǒng)
產(chǎn)品型號(hào):
IST 8900
產(chǎn)品展商:
艾仕歐
產(chǎn)品文檔:
無相關(guān)文檔
簡(jiǎn)單介紹
IST 8900半導(dǎo)體元件自動(dòng)化測(cè)試系統(tǒng)真正一臺(tái)完整而具有**“性價(jià)比”的半導(dǎo)體元件自動(dòng)化測(cè)試系統(tǒng)，能測(cè)試從毫瓦(mW)到千瓦(kW)級(jí)全功率系統(tǒng)的多種半導(dǎo)體元件！
半導(dǎo)體元件自動(dòng)化測(cè)試系統(tǒng)
的詳細(xì)介紹
| 泄漏電流測(cè)量檔位 Leakage Current Measurement Range |
測(cè)試參數(shù)
Parameter |
電流檔位
Current Range |
分辨率
Resolution |
精度
Accuracy |
測(cè)量條件
Test Condition |
Iceo/s/v、Icbo、
Iebo、Idss/v、
Igsr/f、Idrm、
Irrm、Igko、
Igss、Ir、
Ic(off) |
0 - 400 nA |
0.1 nA |
± 3% |
0 - 2.5 KV |
| 0 - 4 μA |
1 nA |
± 1% |
0 - 2.5 KV |
| 0 - 40 μA |
10 nA |
± 1% |
0 - 2.5 KV |
| 0 - 400 μA |
0.1 nA |
± 1% |
0 - 2.5 KV |
| 0 - 4 mA |
1 μA |
± 1% |
0 - 2.5 KV |
| 0 - 40 mA |
10 μA |
± 1% |
0 - 2.0 KV |
| 0 - 400 mA |
0.1 mA |
± 1% |
0 - 1 KV |
| 崩潰電壓檔位 Breakdown Voltage Range |
測(cè)試參數(shù)
Parameter |
電壓文件位
Voltage Range |
分辨率
Resolution |
精度
Accuracy |
測(cè)量條件
Test Condition |
| BVceo/s/v、BVcbo、Vebo、BVdss、BVr、BVdrm、BVrrm、BVgss、BVz |
0 - 30 V |
0.05 V |
± 1% |
0 - 5 A |
| 30 - 60 V |
0.05 V |
± 1% |
0 - 2 A |
| 60 - 2500 V |
0.3 V |
± 2% |
0 - 40 mA |
| 導(dǎo)通電流測(cè)量檔位 On-State Current Range |
測(cè)試參數(shù)
Parameter |
電流檔位
Current Range |
分辨率
Resolution |
精度
Accuracy |
測(cè)量條件
Test Condition |
| hFE、Vce(sat)、Vbe(on)、Vbe(sat)、Vds(on)、 Ids、Vds、Rds(on)、Ic(on)、Vf、If、Vtm、± Vo、± Ipk、± Isc、Vbo、Ibo |
0 - 20 mA |
5 μA |
±13% |
0 - 40 V |
| 0 - 200 mA |
50 μA |
± 1% |
0 - 40 V |
| 0 -2 A |
0.5 mA |
± 1% |
0 - 40 V |
| 0 - 25 A |
6 mA |
± 1% |
0 - 30 V |
| 0-50 A |
12mA |
± 1% |
0 - 20 V |
| 觸發(fā)電流檔位 Trigger Current Range |
測(cè)試參數(shù)
Parameter |
電流檔位
Current Range |
分辨率
Resolution |
精度
Accuracy |
測(cè)量條件
Test Condition |
| hFE、Vgs(th)、Vbe(on)、Vgs(on)、Vge(th)、Vge(on)、Igt、Vgt、IL、Ih、Ic(on)、Igt 1/2/3/4、Vgt 1/2/3/4 |
0 - 100 μA |
20 nA |
±1% |
0 - 20 V |
| 0 - 1 mA |
0.2 μA |
± 1% |
0 - 20 V |
| 0 -10 mA |
2 μA |
± 1% |
0 - 20 V |
| 0 - 100 mA |
20 μA |
± 1% |
0 - 20 V |
| 0 - 1 A |
0.2 mA |
± 1% |
0 - 20 V |
| 0 - 20 A |
4 mA |
± 1% |
0 - 20 V |
| |
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|
|
|
|
|
|
| 觸發(fā)電壓文件位Trigger Voltage Range |
測(cè)試參數(shù)
Parameter |
電壓文件位
Voltage Range |
分辨率
Resolution |
精度
Accuracy |
| Vbe(on),Vbe(sat),Vge(on), Vgs(on), Vgt |
0 - 20 V |
4 mV |
± 1% |
| 開關(guān)時(shí)間 Switching Time |
測(cè)試參數(shù)
Parameter |
電壓文件位
Voltage Range |
分辨率
Resolution |
精度
Accuracy |
| ton、toff |
0 - 1095 ns
連續(xù)調(diào)整 |
5 ns |
± 1% |
| |
|
|
|
|
|
|
| 機(jī)身規(guī)格 |
| 儀器 |
體積 高x深X寬 |
重量 |
| 主機(jī) |
11.43cm x43.69cm x41.91cm |
7.7 kg |
| M2400A |
31.75cm x44.45cm x53.34cm |
75 kg |
| M4800A |
49.53cm x44.45cm x53.34cm |
120 kg |
| 10kV電壓模塊 |
12.7cm x 27.94cm x30.48cm |
5.5 kg |
標(biāo)準(zhǔn)配件：
● AC電源線
● 操作手冊(cè)
● 二極管軸心引腳測(cè)試治具
● 測(cè)試治具，適用于TO-220、202、237、218、92
● 測(cè)試治具，適用于TO-247、247 super
● 測(cè)試治具，適用于SMD封裝
選購配件：
● 通用測(cè)試夾治具(短測(cè)試線)
● 通用測(cè)試夾治具(長測(cè)試線)
● 測(cè)試插座轉(zhuǎn)接器，適用于單/雙光耦合裝置
● 測(cè)試治具，適用于TO-3、66、204
● DB-25公頭/公頭接口控制導(dǎo)線，適用于連接外部模
塊機(jī)箱
● 超彈性硅膠大功率測(cè)試線
● 夾式測(cè)試治具，適用于150mm直徑圓盤封裝
IST 8900半導(dǎo)體元件自動(dòng)化測(cè)試系統(tǒng)真正一臺(tái)完整而具有**“性價(jià)比”的半導(dǎo)體元件自動(dòng)化測(cè)試系統(tǒng)，能測(cè)試從毫瓦(mW)到千瓦(kW)級(jí)全功率系統(tǒng)的多種半導(dǎo)體元件！
特點(diǎn)：
☆ 可檢測(cè)12種半導(dǎo)體元件的參數(shù)多達(dá)135個(gè)；
☆ 可單機(jī)獨(dú)立操作，測(cè)試范圍達(dá)2500V及50A；
☆ 具有自我校正及自我測(cè)試診斷之功能；
☆ 外接大電流機(jī)箱或高壓裝置，檢測(cè)范圍可擴(kuò)展至4800A及10KV；
☆ 具有USB接口，可外接PC、打印機(jī)、數(shù)據(jù)記錄器；
☆ 測(cè)試程序可儲(chǔ)存及重復(fù)使用；
☆ 錯(cuò)誤或損壞的元件，在未進(jìn)入?yún)?shù)測(cè)試前，便可被自動(dòng)篩除；
☆ 提供全自動(dòng)好/壞判別或參數(shù)上的測(cè)量；
☆ 提供Windows PC Curve Tracer特性曲線軟件（選購）；
☆ 具有機(jī)械手接口，可供大量生產(chǎn)測(cè)試；
☆ 任何管腳錯(cuò)誤的連接，均可在啟動(dòng)時(shí)，**快速地檢測(cè)到，且自動(dòng)停止測(cè)試動(dòng)作；
☆ 測(cè)試程序的產(chǎn)生，采用填充式的引導(dǎo)方式；
☆ 測(cè)試光耦輸出端為三極管或交直流可控硅的元件；
☆80μs~300μs脈沖測(cè)試間隔，可防止元件過熱造成的數(shù)據(jù)漂移或損毀。
☆ 采用自動(dòng)校準(zhǔn)軟件技術(shù)，可排除連接插件接觸面、電路板上的線路或繼電器接點(diǎn)上細(xì)微的壓降問題，以避免使用昂貴而麻煩的KELVIN插座，保證MOSFET的Rds(on)精度可達(dá)±1mΩ (±0.001Ω)。
元件類型
|
漏電流
|
崩潰電壓
|
導(dǎo)通參數(shù)
|
放大倍率
|
觸發(fā)參數(shù)
|
閂扣參數(shù)
|
保持參數(shù)
|
開關(guān)參數(shù)
|
Bipolar
Transistor
|
Iceo、Ices、Icev、Icbo、Iebo
|
BVceo、BVces
BVcev、BVcbo
BVebo
|
Vce(sat)
Vbe(sat)
|
hFE
|
Vbe(on)
|
|
|
ton
toff
|
MOSFET
Transistor
|
Idss、Igsr、Igsf、Idsv
|
BVdss
|
Vds(on)、Ids(on)
Rds(on)、Vsd
|
gFS
|
Vgs(th)
Vgs(on)
|
|
|
ton
toff
|
IGBT
|
Ices、Igsr、Igsf
|
BVces
|
Vce(sat)、
Ic(on)、Vf
|
gFS
|
Vge(th)
Vge(on)
|
|
|
ton
toff
|
TRIAC
|
Idrm、Irrm
|
BVrrm、BVdrm
|
Vtm+、Vtm-
|
|
Iga 1/2/3/4
Vga 1/2/3/4
|
|
Ih+、Ih-
|
|
SCR
|
Idrm、Irrm、Igko
|
BVdrm、BVrrm
BVgko
|
Vtm
|
|
Igt、Vgt
|
IL
|
Ih
|
|
GTO
|
Idrm、Irrm、Igrm
|
|
Vtm
|
|
Igt、Vgt
|
IL
|
Ih
|
|
DIODE
|
Ir
|
BVr
|
Vf、If
|
|
|
|
|
|
Zener Diode
|
Ir
|
BVz、BVr
|
Vf
|
|
|
|
|
|
J-FET
|
Igss
|
BVgss
|
Idss、Rds(on)
Vds(on)
|
gFS
|
|
Vgs(p)
|
Id(p)
|
|
Regulator
|
|
|
+/-Vo、+/-Ipk
+/-Isc
|
|
|
+/-dV
|
+/-0r、+/-Ir
|
|
Optoisolator
|
Irrm、Ir、Iceo
Icbo、Iebo
Ic(off)、Idrm
|
BVceo、BVcbo
BVebo
|
Vf、Ic(on)、
Vce(sat)、Vtm
|
CTR、hFE
|
Igt
|
|
Ih
|
|
VTS
|
Ir
|
BVr
|
Vbo、bo、dVbo
|
|
|
|
|
|
大功率半導(dǎo)體元件的測(cè)試
當(dāng)功率模塊老化時(shí)，其工作效能必定降低，一個(gè)應(yīng)用在大功率開關(guān)上的功率元件，在其使用期限內(nèi)，如能定期維護(hù)測(cè)
試，可確保其使用的*佳狀態(tài)，防止故障發(fā)生。
IST 8900半導(dǎo)體元件全自動(dòng)測(cè)試系統(tǒng)，可以仿真元件在真正工作狀態(tài)下的電流及電壓，并測(cè)量重要參數(shù)的數(shù)據(jù)，再與
原出廠指標(biāo)比較，由此來判定元件的好壞或退化的百分比。
導(dǎo)通參數(shù)測(cè)試如：Vce(sat)、Vds(on)、Rds(on)、Vf及Vtm等，可由選購?fù)獠侩娏髂KM2400與M4800，將IST 8900的大功率測(cè)試電流擴(kuò)大至數(shù)千安培。
每個(gè)電流模塊，都具有獨(dú)立的供電系統(tǒng)，以便在測(cè)試時(shí)，提供內(nèi)部電路及電池組充電之用；IST 8900可通過一個(gè)DB-25接口，連續(xù)控制電流量0~2400A或0~4800A。
可選購?fù)獠扛邏耗K，執(zhí)行關(guān)閉狀態(tài)參數(shù)測(cè)試如：各項(xiàng)崩潰電壓與漏電流測(cè)量達(dá)10KV。
????
